TOF-SIMS Depth Profiling of Organic Dopants

GCIBにより、有機半導体、有機発光デバイス、有機太陽電池などの有機分子デバイスにおけるドーパントの深さ方向分析が実現します。

SiやIII-V族半導体などの無機物半導体では、ドーパントの深さ方向分析を、もっぱらSIMSが担ってきました。従来のダイナミックSIMSは、微量元素の深さ方向分布が得られますが、有機物の構造情報が失われてしまいます。GCIBをエッチングイオンに用いるTOF-SIMSにより、微量有機分子の深さ方向分析が可能となることが示唆されます。

また、質量数203の負イオンは、AlQ3を大気中に放置すると出現するピークです¹⁾が、膜中には　ほとんどないことも確認できました。

図1　有機発光デバイス(OLED)中の0.5～2%のドーパント分子のGCIBを用いた深さ方向分析